“中國光谷”公眾號消息，近日湖北省政府發布關于印發加快“世界光谷”建設行動計劃的通知（以下簡稱“通知”）。

“通知”提出要緊跟全球光電子產業發展趨勢，充分發揮東湖高新區技術領先優勢，保持戰略定力，以芯片為核心，重點發力存儲器芯片、三維集成、化合物半導體、硅光芯片等領域，加強產業關鍵核心環節重大技術突破與原始創新，推動優勢領域率先突圍。

存儲器芯片、三維集成、化合物半導體和硅光芯片。以國家存儲器基地為重點發展存儲器芯片，加速關鍵設備、基礎原材料、核心零部件國產替代進程，逐步建立自主可控的產業鏈、供應鏈體系，促進國內半導體制造水平整體提升，加快建設“世界存儲之都”；以三維集成為基礎布局車規級芯片、傳感芯片等領域，突破先進制程，構筑三維集成全球制造高地；加快布局氧化鎵、碳化硅等新一代半導體，推動創新鏈與產業鏈協同發展，打造全球化合物半導體創新中心；發揮硅基半導體和光電子核心優勢，超前布局硅光芯片，搶占硅光一體化、光電一體化等新賽道，打造國際領先的硅光芯片創新平臺。

“通知”還提出要發揮光電子信息核心領域引領帶動作用，加快培育和完善集成電路、光通信、新型顯示、激光、光電傳感、智能終端、軟件及信息服務、數字健康、智能網聯汽車、數字建造等細分產業鏈條，形成在全國乃至全球具有話語權的產業板塊，塑造更多發展優勢，匯聚形成具有全球競爭力的光電子信息產業鏈。

集成電路板塊。以存儲器芯片、三維集成、化合物半導體和硅光芯片為引領，重點發力中游制造環節，加快突破超高層三維閃存工藝、絕緣體上硅（SOI）芯片制造工藝、晶粒（Chiplet）集成技術、存算一體芯片等關鍵技術；補齊上游芯片設計、基礎材料、設備等關鍵配套短板，推動芯片設計工具（EDA）和知識產權（IP）核開發企業、芯片設計企業、芯片制造企業等上下游企業建立協同攻關機制，加大力度支持國產關鍵裝備與材料的核心技術攻關，推進國產替代進程；突破下游先進封裝及測試技術，提升封裝測試本土化率，打造以芯片制造為引領，設計、封裝測試為支撐，設備、材料為配套的完整、安全、強韌集成電路產業。